到2021年，三星预计将在先进工艺生产方面领先于代工厂竞争对手台积电，并领先于技术竞争对手英特尔两到三年。当这家韩国科技巨头在两年后大规模开始大规模生产3纳米栅极全光刻时，竞争对手可能会争先恐后地追赶，三星可能会通过其新设计消除大型芯片制造合同。

目前台积电正在清理高性能PC芯片制造方面，AMD正在为其即将推出的Ryzen 3000处理器以及即将推出的AMD Navi显卡采用7nm工艺批发。它也致力于Zen 3 CPU的7nm +工艺。Nvidia也有望将台积电用于其下一代图形技术，但据报道已经开始与三星合作开发高级节点。

但是，如果三星确实能够将其技术推向台积电的流程超过12个月，那么合同工作的更多内容可能会开始从台湾过滤到韩国。

这正是三星希望如何发挥它的作用，扩大其代工厂面，迫使台积电成为目前排名第一的50%市场份额的球员。由于需求下降DRAM和NAND闪存制造的推动，三星预计将在2019年再次让半导体市场进入英特尔领先，这也必将为这一代工厂优势的推动增添一些额外的动力。

在三星铸造论坛上，三星铸造论坛宣布该公司已经为其潜在客户提供了3nm全能门(GAA)技术的工艺设计套件，三星一直在努力打击业内人士，以应对其面临的激烈竞争。在市场上。

咨询公司国际商业策略公司(International Business Strategies)的亨德尔•琼斯(Handel Jones)表示，“三星在GAA领先于台积电大约12个月。”“英特尔可能比三星落后两到三年。”

这是因为，虽然英特尔和台积电等公司都在研究GAA晶体管本身，但三星一直致力于专有版本，它称之为多桥通道场效应晶体管(如果你的简洁，则称为MBCFET)。而不是其他公司的GAAFET设计的纳米线构造，三星使用纳米片，这降低了工艺复杂性并允许使用更大的每堆电流。它还具有更好的芯片面积利用率，并且可能允许每个晶体管更多的堆叠纳米片以提高性能。

MBCFET设计还兼容三星现有的工艺工具和生产方法。它用于制造电流型FinFET设计的相同套件应该可用于采用GAA晶体管，这将缩短产品上市时间并降低工艺的成本效率。

就直接的FinFET与MBCFET而言，与7nm FinFET设计相比，三星承诺将功耗降低50%，性能提高30%，面积减少约45%。

这个过程将在2021年达到批量生产，可能是性能较低的移动处理器，高端GPU和CPU预计将在2022年推出。如果AMD继续遵循目前的节奏，可能会有来自台积电的转换3英寸MBCFET三星设计适用于Zen 5.虽然可能会有点期待......

但从那里开始，三星已经开始寻求基于MBCFET技术的2nm制造技术，其可见度达到1nm甚至更高。在那之后，我们将不得不开始提出新的测量标准。